Архив 21-22 декабря, 2016 Физико-математические науки ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛИЦИД СОДЕРЖАЩЕГО КРЕМНИЯ
default ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛИЦИД СОДЕРЖАЩЕГО КРЕМНИЯ Популярные
Владелец Алина Число скачиваний: 428
Исаев Махмудходжа Шарипович
Ташкентский государственный технический университет им. А.Р. Беруни
(Ташкент, Узбекистан)
Аннотация. Монокристаллический кремний легирован атомами кобальта диффузионным методом. В процессе диффузии образован сильно компенсированный кремний и на поверхности кристалла создан силицидный слой. Исследованы релаксационные характеристики фотопроводимости и проведен анализ наблюдаемых явлений. Приведена модель релаксационного процесса фотопроводимости.
Ключевые слова: монокристаллический кремний, силицид, диффузия, шунт, канавка, криостат, время релаксации, уровень Ферми.