default ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛИЦИД СОДЕРЖАЩЕГО КРЕМНИЯ

Владелец Число скачиваний: 71

Исаев Махмудходжа Шарипович

Ташкентский государственный технический университет им. А.Р. Беруни

(Ташкент, Узбекистан)

Аннотация. Монокристаллический кремний легирован атомами кобальта диффузионным методом. В процессе диффузии образован сильно компенсированный кремний и на поверхности кристалла создан силицидный слой. Исследованы релаксационные характеристики фотопроводимости и проведен анализ наблюдаемых явлений. Приведена модель релаксационного процесса фотопроводимости.

Ключевые слова: монокристаллический кремний, силицид, диффузия, шунт, канавка, криостат, время релаксации, уровень Ферми.