pdf ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ (Ga60In40)2Se300, (Ga55In45)2S300, (Ga70La30)2S300 та (Ga59,4In39,6Er)2Se300, (Ga54,59In44,66Er0,75)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 Популярные

Владелец Число скачиваний: 323

Тищенко Петро Васильович,

Торчинюк Павло Васильович,

Селезень Андрій Олегович,

Іващенко Інна Алімівна,

Олексеюк Іван Дмитрович

Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки,

м. Луцьк, Україна

Анотація. Монокристалічні халькогенідні напівпровідники, особливо леговані ербієм, є перспективними у зв’язку з їх використанням у телекомунікаційних пристроях. Монокристали (Ga60In40)2Se300 та (Ga59,4In39,6Er)2Se300 були вирощені методом збірної рекристалізації. Монокристали (Ga55In45)2S300, (Ga70La30)2S300, (Ga54,59In44,66Er0,75)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 вирощували розчин-розплавним методом з області їх первинної кристалізації. Монокристали були досліджені методом рентгеноструктурного аналізу.

Ключові слова: вирощування, монокристали, (Ga60In40)2Se300, (Ga55In45)2S300, (Ga70La30)2S300 та (Ga59,4In39,6Er)2Se300, (Ga54,59In44,66Er0,75)2S300 (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300.